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[发明专利]直接蒸发泵至冷板的分子束外延系统-CN201980095048.6有效
发明人：杜鹏 -专利权人：杜鹏
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：公开了一种分子束外延系统，用于通过将吸气剂材料从渗出蒸发器(5)蒸发到冷板上，来消除分子束外延生长室(1)中在生长之前、生长期间或生长中断期间和/或生长之后的过剩束流量。冷板可以是分子束外延生长室(1)的低温板(2)，也可以是附接腔室(9)中的冷板(8)。所述分子束外延系统包括分子束外延生长室中的低温板(2)或附接到分子束外延生长室(1)的腔室中的冷板(8)。通过适当的工艺，如冷却该冷板、为分子束外延工艺加载基板(3)、为分子束外延生长(7)提供必要的束流量、加热渗出蒸发器(5)并打开蒸发器(5)的快门以便吸气剂材料束流量到达所述板上，多余的束流量将被消除。
直接蒸发泵至冷板分子外延系统

[发明专利]分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法-CN202011023027.4在审
发明人：高达;王经纬;周朋;刘铭;宁提;谭振 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明提出了一种分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法。分子束外延系统用于在衬底上外延生长至少一种外延物质，分子束外延系统包括：束流源、第一加热组件和第二加热组件，束流源用于向衬底发射外延物质，第一加热组件设于衬底的生长面的背面，用于从背面加热衬底；第二加热组件设于衬底的生长面的正面根据本发明的分子束外延系统，可以通过第一加热组件和第二加热组件对衬底进行加热，使衬底快速达到目标温度。减少工艺时间，减少较高温度对材料表面的影响，提高了分子束外延生长质量，可适用于分子束外延生长材料生长参数差异性较大材料的超晶格结构、异质结结构的材料当中。
分子外延系统表面温度控制方法

[发明专利]分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法-CN201910428331.8在审
发明人：刘斌;初嘉鹏;谢自力;陶涛;李振华;吴耀政;赵红;陈敦军;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层Al_xGa_(1‑x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在Al_xGa_(1‑x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与Al_xGa_(1‑x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化Al_xGa_(1‑x)
分子束外延技术生长参数分子束外延异质结结构蓝宝石基生长二维电子气特性问题同质外延薄膜层盖帽层异质结衬底输运优化

[发明专利]坩埚及分子束外延系统-CN202110938739.7有效
发明人：高达;王丹;李震;王丛;王经纬;刘铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚及分子束外延系统。用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚包括：坩埚本体，用于盛放原料，坩埚本体为一端敞开、另一端封闭的中空柱体；支撑结构，设于坩埚本体的敞开端，支撑结构用于将坩埚本体的敞开端的空间分割为多个通道。本发明通过在坩埚本体的敞开端设置支撑结构，以将敞开端口的空间分割为多个通道，没有通道的部分可以阻挡部分束流直接蒸发至外延表面，使束流以更复杂的方式经多次反射蒸发至外延表面，能够大大缓解分子束外延束流均匀性受原料形状、原料使用情况的影响，而且通过调节通道的面积占比可以影响最大束流强度，不仅能够提升分子束外延系统束流均匀性，而且还能满足分子束外延工艺对束流强度的要求。
坩埚分子外延系统

[发明专利]一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法-CN201510134872.1有效
发明人：王振中 -专利权人：厦门烯成石墨烯科技有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法，采用分子束外延生长法，包括如下1)将衬底置于分子束外延设备的超真空反应腔中，调节超真空反应腔的真空度为10‑6～10‑7Pa，调节衬底温度为500℃～600℃，除气20min～30min；2)调节衬底温度为650℃～750℃，以氧化钼粉末和硫粉末为反应源，分别通过分子束外延设备的束源炉蒸发形成氧化钼分子束和硫分子束喷射到衬底表面，所述氧化钼分子束和硫分子束在衬底表面发生反应本发明通过分子束外延成膜技术实现重复的层数可控生长结构规则、表面平整的层状二硫化钼薄膜。
一种层状二硫化钼薄膜制备方法

[实用新型]一种分子束外延设备冷泵活化机-CN202120071565.4有效
发明人：苏杰;冯巍;谢小刚;姜炜;杜全钢 -专利权人：新磊半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分子束外延设备冷泵活化机，涉及分子束外延生长技术领域。该活化机包括：机架、分子束外延设备冷泵、气体加热系统、尾气处理和抽真空系统、具有开关的阀头、泄压阀头；机架内设置工作平台，工作平台下方分为两层：第一层是气体加热系统，与具有开关的阀头相连接；第二层是尾气处理和抽真空系统，与泄压阀头相连接；具有开关的阀头、分子束外延设备冷泵、泄压阀头，三者依次连接。本实用新型解决了分子束外延设备冷泵活化时，冷泵需拆卸，活化效率低，保养周期长等问题；提高了分子束外延设备主生长室的真空度，进而提升了薄膜生长环境。
一种分子外延设备活化

[发明专利]分子束外延系统-CN201710704674.3在审
发明人：高鸿钧;吴泽宾;高兆艳;陈喜亚;郇庆 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种分子束外延系统，包括：分子束外延腔；样品准备腔，其通过第一门阀与所述分子束外延腔相连接；快速进样腔，其通过第二门阀与所述样品准备腔相连接；传输装置，其用于当所述第二门阀打开时，将样品片从所述快速进样腔的腔体内传输至所述样品准备腔的腔体内，以及当所述第一门阀打开时，将样品片从所述样品准备腔的腔体内传输至所述分子束外延腔的腔体内。本发明的分子束外延系统在对样品片进行外延过程中避免了对样品片造成污染。
样品准备门阀分子束外延系统分子束外延体内传输进样腔体内传输装置外延过程污染

[发明专利]一种二硒化锡薄膜的制备方法-CN201810175981.1有效
发明人：王巍;杨春雷;李伟民;钟国华;李文杰;冯叶;童君;隋帆 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束的形式喷射至所述基片上本发明利用了分子束外延工艺对生长产物可控的特点，实现了可控地制备出如片状等特定形貌结构的二硒化锡薄膜。且相对于化学气相沉积法，本发明利用分子束外延工艺的制备方法的操作更简单，制备二硒化锡薄膜所需的时长相对较短，有利于二硒化锡薄膜的生产。
一种二硒化锡薄膜制备方法

[发明专利]一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法-CN03110865.2无效
发明人：吕有明;梁红伟;李炳辉;吴春霞;颜建锋;魏志鹏;赵东旭;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2003-01-13 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法本发明适合于利用分子束外延制备氧化物薄膜。
一种适合分子外延制备氧化物薄膜方法

[发明专利]一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法-CN201811274504.7在审
发明人：顾溢;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法，根据不同类型束源炉在两个温度点生长的材料生长速率或多元材料组分，获得束源炉对应生长速率或组分随温度的变化关系，实现对不同类型束源炉温度参数的换算。本发明的方法可以在不使用束流规的情况下，实现对分子束外延中束源炉温度参数的快速估计和定位，高效地实现对多元材料组分精确控制和多元材料生长，大幅提高束源炉参数的调节效率。本发明适用于In、Ga、Al、Si、Ge等多种束源炉，以及气态源分子束外延、固态源分子束外延等多种方式和设备，具有很好的通用性。
束源炉分子束外延多元材料换算温度参数生长固态源分子束外延气态源分子束外延变化关系材料生长快速估计温度点束流

[发明专利]采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法-CN201810440768.9有效
发明人：刘斌;李振华;谢自力;吴耀政;陶涛;修向前;施毅;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除Al外延生长。
采用分子外延技术生长用于缓解消除铝镓氮薄膜表面裂纹晶格插入方法

[发明专利]矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置-CN201611236161.6有效
发明人：康俊勇;张纯淼;吴志明;陈婷;高娜;吴雅苹;李恒 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C30B30/04 文献下载
摘要：矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
原位表征强磁场分子束外延超高真空强磁体生长矢量可调节室温腔样品台倒T型腔体抽真空系统等离子体源测试系统磁场夹角分子束流分子束源霍尔效应技术难题外延生长体积小真空腔蒸发源自由程磁阻束源移出磁场测试

[发明专利]一种分子束外延专用气液分离器-CN202111561767.8在审
发明人：隗忠元 -专利权人：武汉克莱澳科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B01D45/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延专用气液分离器，包括有呈卧式状的气液分离器罐体，所述气液分离器罐体端部设置有进液口和排气口，所述进液口上连通设置有向气液分离器罐体内部水平延伸的进液内管，所述排气口上连通设置有向气液分离器罐体内部水平延伸的内排气管，所述内排气管位于气液分离器罐体的内顶部；所述气液分离器罐体底部设置有与其内部连通的出液口和分子束外延排气进口，所述分子束外延排气进口上连通设置有向气液分离器罐体内部竖直向上延伸的分子束外延排气内管。本分离装置在向分子束外延设备输送液氮的同时，也能够将从分子束外延设备输出的汽化氮气由气液分离器罐体排出。
一种分子外延专用分离器

[外观设计]分子束外延生长设备蒸发部件-CN202030104581.X有效
发明人：董国材;张祥;梁枫 -专利权人：国成仪器（常州）有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：分子束外延生长设备蒸发部件。2.本外观设计产品的用途：分子束外延生长设备蒸发部件主要用于分子束外延生长设备进行材料制备。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体造型。
分子外延生长设备蒸发部件

[实用新型]分子束外延系统-CN202320012728.0有效
发明人：谢斌平;陈飞;郭维 -专利权人：费勉仪器科技（上海）有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种分子束外延系统，包括：真空腔体，包括独立的多个窗口；多个镀膜源，多个镀膜源分别与真空腔体的多个窗口真空密封连接；以及差分抽气装置，与多个镀膜源独立地真空密封连接，用于对多个镀膜源进行抽气
分子外延系统

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